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消息稱三星電子曾考慮在美國建設先進DRAM內存晶圓廠,最終放棄

2024年4月18日 13:33  IT之家  作 者:溯波

據韓媒 Alphabiz 報道,三星電子方面曾考慮在美國建設先進 DRAM 內存晶圓廠,但最終因為一系列原因轉而選擇建設先進封裝設施。

根據本周初達成的初步協議,三星電子將獲得美國至多 64 億美元(IT之家備注:當前約 464 億元人民幣)補貼,在得克薩斯州泰勒市建設兩座先進邏輯代工廠、一座先進封裝工廠和一座先進制程研發設施。

報道稱,三星電子本考慮在泰勒市建設一座 10nm 級先進制程的 DRAM 內存晶圓廠,相關商討一直持續到了協議簽署前的最后一刻。

美國方面為可能的內存廠建設計劃提供了優厚的條件,三星方面也對此十分積極。

不過,這一建廠計劃受到一系列因素的阻撓,未能成真。一方面,在美國建設先進內存廠在技術上較為困難,成本也較高;另一方面,韓國政府表達了反對意見。

此外,美國和泰勒市方面都對先進封裝業務的排污審批持配合態度。最終三星電子轉而選擇在美建設先進封裝工廠。

業內人士表示,相較于美國,韓國對于半導體行業的支持較差,這促使三星電子考慮在美建設先進內存廠,如果韓國政府不能拿出足夠的誠意,那這類計劃下次就將成為現實。

編 輯:章芳
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