TechInsights發文稱，發現了臺積電22ULL嵌入式RRAM（阻電存儲器）芯片，低功耗無線物聯網解決方案的領導者Nordic Semiconductor推出的突破性nRF54L SoC器件采用了臺積電的22ULL嵌入式RRAM （eRRAM）。

TechInsights拆解了Fanstel EV- BM 15 EV Kit，找到了Nordic BT 5.4 SoC nRF54L15器件。自2019年以來，臺積電提供了40納米RRAM平臺，現在的22納米RRAM是臺積電的第二代eRRAM。這是業界首個擁有最先進的22納米CMOS技術的RRAM，可與嵌入式STT-MRAM相媲美。

eRRAM內存塊密度為17.5 bit/ µm2，位線方向的RRAM層寬度為170 納米。RRAM存儲層放置在metal 3上。ReRAM使用電阻作為開關的基礎。與STT-MRAM、FRAM和PCM等其他新興存儲器件一起，ReRAM是取代嵌入式閃存（eFlash）的主要競爭者之一。ReRAM不受輻射的影響，具有很高的電磁耐受性，并且沒有泄漏問題，因為它不是基于電荷的器件。

ReRAM （RRAM）產品和技術路線圖顯示臺積電22ULL ReRAM